IRF3707Z

Версия для печати

Технические характеристики IRF3707Z

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 21A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	59A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1210pF @ 15V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3707Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3707Z datasheet
280 Кб