IRFB16N60L
Hexfet® power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2720pF @ 25V |
| Power - Max | 310W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB16N60L (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
 | Д142-100-12 1668.40 руб Купить |
 | APPA 79 Базовая погрешность 0,5 %; Рзмерение напряжения РїРѕСЃС‚. 0,4 … 1000 Р’; Рзмерение напряжения пер. 0,4 … 750 Р’ (50 - 500 Гц); РР·... Купить |
 | HCPL-263L Оптоинтерфейс — Опто интерфейс х2 15МБод 3.3В Купить |
