IRFI640GPBF
Транзистор N-Канальный 200V 9,8A 40W 0,18R TO220 FullPak
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 40W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack, Isolated |
| Корпус | TO-220-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFI640GPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | 5 | 3 680.00 | |||||
|
|
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | КОМ |
|
|
||||
|
|
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | КОМ1 |
|
|
||||
|
|
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | ЭЛЕКОН |
|
|
||||
|
|
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | КОМ 1 |
|
|
||||
|
|
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | ИСЕТЬ |
|
|
||||
|
|
2РМДТ18БПЭ4Г5В1В | РОССИЯ | 58 | 3 146.05 | ||||
 |
 |
IRG4PSH71KDPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRG4PSH71KDPBF |
|
|
|
|||
|
|
|
IRG4PSH71KDPBF |
|
INFINEON |
|
|
