IRFP23N50L

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP23N50L		745.60

Версия для печати

Технические характеристики IRFP23N50L

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3600pF @ 25V
Power - Max	370W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP23N50L (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP23N50L datasheet
259.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV85-C10		NXP
BZV85-C10		PHILIPS
BZV85-C10		NXP	3 477
BZV85-C10		PHILIPS	6 494
PKM13EPYH4000-A0		MURATA
PKM13EPYH4000-A0
PKM13EPYH4000-A0		Murata Electronics North America
PKM13EPYH4000-A0		MUR	18 839	26.98
TDA2822D		ST MICROELECTRONICS	120	46.78
TDA2822D			28	29.04
TDA2822D		STMicroelectronics
TDA2822D		КИТАЙ
TDA2822D		ST MICROELECTRONICS SEMI	2
TDA2822D		ST1
TDA2822D		ST MICROELECTRO
TDA2822D		STMICROELECTR
TDA2822D		1
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В			34.00
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	СИНГАПУР
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST1
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRO
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	---
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTR
ТЧ80-10	Тиристор штыревой быстродействующий 1000В, 80А			2 600.00