IRLI2910

Версия для печати

Технические характеристики IRLI2910

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3700pF @ 25V
Power - Max	63W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLI2910 (N-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLI2910 datasheet
145.64Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA733	Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NXP
2SA733	Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NEC	29	6.30
2SA733	Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)		16	24.00
2SA733	Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
2SA733	Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	3 331	3.29
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		23 925	1.07
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
AN7808		PANASONIC
AN7808		PANASONIC
AN7808			51	88.00
AN7808			51	88.00
GI756		NTE
GI756
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	MICRO CHIP
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	Microchip Technology
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz