IRFB18N50K
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V |
| Power - Max | 220W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB18N50K (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000UF X 25V CD11 | CHANG |
|
|
|||||
 |
 |
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 1 240 | 11.58 | ||
| GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В |
|
|
||||
| GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В | MUR | 57 574 | 11.35 | |||
| GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM32ER72A225KA35L |
|
Керамический конденсатор 2.2 мкФ 100 В |
|
|
||||
| RC0603FR-0727KL | YAGEO | 48 874 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| RC0603FR-0727KL | YAGEO | 36 922 |
|
|||||
| RC0603FR-0727KL |
|
|
