RLB0914-470KL

Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, h=12mm, Rm=5mm, -20 to +80C), выводной с радиальными выводами.

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
RLB0914-470KL (BOURNS)	7 489	19.89
RLB0914-470KL		75.20

Версия для печати

Технические характеристики RLB0914-470KL

Тип	RLB
Номинальная индуктивность,мкГ	47
Допуск номинальной индуктивности,%	10
Максимальный постоянный ток,мА	1500
Активное сопротивление,Ом	0.14
Добротность,Q	30
Рабочая температура,С	-20...80
Способ монтажа	в отверстие
Длина корпуса,мм	12.5
Диаметр (ширина)корпуса,мм	9
Особенности	для высокоточных цепей

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007 (1A 1000V)
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	FAIR
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	MCC
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )		1 788	2.39
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NXP	16 000
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PHILIPS	28 085
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	NEXPERIA
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SUNTAN
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	WUXI XUYANG	9 886	1.42
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	SEMTECH	78	1.89
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	HOTTECH	37 270	1.45
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	1
BAS32L	Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )	PLINGSEMIC	15 120	1.23
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	FAIR
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	120	1.26
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	3 020	2.87
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	INFINEON	379	1.69
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	MCC
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	136	1.90
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)			6.32
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	888
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	NXP	2 191
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	WUXI XUYANG
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	53 965	2.11
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	YJ	269 195	2.07
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	CJ
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	JSCJ	19 278	1.39
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	SLKOR
BAS70-04	2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)	XSEMI
RLB1314-103KL	Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm	BOURNS	404	62.94
RLB1314-103KL	Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm			132.00
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LTL
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	10 684	12.27
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)			140.00
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	LITTELFUSE	1
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	Littelfuse Inc
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	TECH PUB	13 159	6.11
SP0503BAHTG	Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)	MSKSEMI	6 890	4.83

PSMN038-100K
N-канальный полевой транзистор
Купить

N-814-G 220V

18.30 руб Купить

CC25-12YWA
7-сегментный четырехразрядный светодиодный индикатор с высотой символа 6.2мм (0.25 дюйма) Высота символа 6.2мм (0.25 дюйма). Малый ток потребления ...
Купить