Версия для печати
Технические характеристики SKIIP39ANB16V1
| Производитель | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| Вес | 176.150 г |
| Технология | Trench |
| Напряжение коллектор-эмитер | 1200 В |
| Ток коллектора | 157А @ 25°C А |
| Vкэ откр. | 1.70В @ 25°C В |
| 37.10мДж @ 125°C mJ |
| Rth(j-c) (per IGBT) | 0.3 K/W |
| Цепь | GD |
| Семейство | MiniSKiiP |
| Корпус (размер) | MiniSKiiP3 |
| 3-phase bridge inverter |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
SKiiP39ANB16V1 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
3-phase bridge rectifier + Diode - Rectifier brake chopper
Производитель:
Semikron International
|
