Версия для печати
Технические характеристики STP5NK60ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	690pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

STP5NK60ZFP (MOSFET) N-CHANNEL 650V @Tjmax - 1.2? - 5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP5NK60ZFP datasheet 476.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	VISHAY
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	MOTOROLA
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	ВЗПП	8	34.02
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R			65.76
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	MOTOROLA
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	Vishay/Siliconix
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	ТАИЛАНД
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	VISHAY/IR
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	INTERSIL
		IRF720		Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R	ST MICROELECTRONICS
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	SANYO
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	SAN
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости			82.72
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	СИНГАПУР
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	1
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	916	65.27
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		880	41.95
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В		800	37.80
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСК
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	ХАБАРОВСК
		КП350Б					201.60
		КП350Б			ВИННИЦА
		КП350Б			ЭКСПОРТ ВИННИЦА
		КП350Б			ПУЛЬСАР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"