BSP122
N-channel enhancement mode vertical d-mos transistor
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
BSP122 (NXP.) |
971 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
BSP122 (PHILIPS.) |
11 330 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики BSP122
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 200 |
| RDS(ON) 2,7 В,мОм | 3000 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 1700 |
| ID,А | 550 |
| PWT,Вт | 1.5 |
| Корпус | SOT-223-4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
BSP122 (MOSFET)
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Производитель:
NXP
|
