FDB14AN06LA0
N-channel powertrench mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 67A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 67A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263AB |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 09/Sept/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDB14AN06LA0 (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
 | HDSP-U101 Миниатюрный семисегментный светодиодный индикатор, высота символа 8 мм (0.31") Купить |
 | HLMP-EL3A-VWKDD 5мм alingap светодиод со сверхвысоким уровнем яркости Купить |
 | SBLF1630CT Сдвоенный, с общим катодом, ограничительный диод шотки Защита от перенапряжения Малая потеря мощности, высокая эффективность Малое падение прямого ... Купить |
