HUFA75639P3

Версия для печати

Технические характеристики HUFA75639P3

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 56A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	56A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUFA75639P3 (MOSFET)

N-Channel UltraFET Power MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

HUFA75639P3 datasheet
221.9 Кб