IRC540PBF
МОП-Транзистор с датчиком тока N-кан Vси = 100 В, Rоткр = 0.077 Ом, Id(25°C) =28 A HEXSence
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Current Sensing |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 17A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-5 |
| Корпус | TO-220-5 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRC540PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
 | 2РМГД27БПЭ19Ш5Е2Б Герметичные и высокогерметичные соединители выполнены блочными вилками для сочленения с кабельными негерметичными розетками. Соединители состоят из ... 1569.00 руб Купить |
 | М4231 0-3В точность 2,5; 40х40х48 544.00 руб Купить |
 | MBR40H60PT Сдвоенный, с общим катодом, диод шотки. улучшенная технология барьера для повышенной температуры перехода Защита от перенапряжения Малая потеря мощн... Купить |
