IRF6100
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1230pF @ 15V |
| Power - Max | 2.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-FlipFet™ |
| Корпус | 4-FlipFet™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF6100 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
