IRF6622

Версия для печати

Технические характеристики IRF6622

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1450pF @ 13V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric SQ
Корпус	DIRECTFET™ SQ

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6622 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF6622 datasheet
245.7 Кб