IRF737LC
Hexfet® power mosfet
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF737LC (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
 | DCW03C-05 Dc/dc преобразователь мощностью 3 вт, корпус: для монтажа на печатную плату dip24 Купить |
 | FDC6303N Digital fet, dual n-channel Купить |
 | MBRF1090CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки Защита от перенапряжения Малая потеря мощности, высокая эффективность Малое падение прямого н... Купить |
