IRF7604

Версия для печати

Технические характеристики IRF7604

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	590pF @ 15V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7604 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7604 datasheet
508.3 Кб