IRF8010S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF8010S (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	25	3-4 недели Цена по запросу
IRF8010S		569.60

Версия для печати

Технические характеристики IRF8010S

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 45A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3830pF @ 25V
Power - Max	260W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF8010S (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF8010S datasheet
224 Кб