ISL9N302AP3


N-channel logic level pwm optimized ultrafet® trench power mosfets

Купить ISL9N302AP3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ISL9N302AP3
Версия для печати

Технические характеристики ISL9N302AP3

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияUltraFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C75A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds11000pF @ 15V
Power - Max345W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ISL9N302AP3 (MOSFET)

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

ISL9N302AP3 datasheet
122.5 Кб
MF-2-1.8 5%
Резисторы MF относятся к виду металлопленочных (металлодиэлектрических), имеют цветовую маркировку номиналов и от мощности 0,5Вт огнеупорны. Могут слу...
Купить
2РМГ39БПН42Ш2Е2Б
Герметичные и высокогерметичные соединители выполнены блочными вилками для сочленения с кабельными негерметичными розетками. Соединители состоят из ...
3895.08 РЎР‚СѓР± Р С™РЎС“пить
2SD1138
Биполярный транзистор S-N NF/S-L 200В 2A
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход