NTB13N10


Power mosfet 100 v, 13 a, n?channel enhancement?mode d2pak

Купить NTB13N10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTB13N10
Версия для печати

Технические характеристики NTB13N10

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs165 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
Power - Max64.7W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
Product Change NotificationProduct Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/20
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTB13N10 (MOSFET)

Power MOSFET 100 V, 13 A, N?Channel Enhancement?Mode D2PAK

Производитель:
ON Semiconductor

NTB13N10 datasheet
77.4 Кб
ACS712ELCTR-05B-T
Ток - чувствительный 5AТочность ±1.5%Чувствительность 185mV/AТок выходной 10mAТип Чувствительного элемента Open Loop Current TransducersНап...
151.23 руб Купить
Г4-128
Генератор сигналов высокочастотный Г4-128 состоит из генератора Г4-129 и широкополосного усилителя ВЧ мощности. Комплект является источником ВЧ сигнал...
814154.00 руб Купить
ASMT-QWBE-NFH0E
0.5-ваттный светодиод в корпусе plcc-4, холодного белого цвета
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход