NTR1P02LT1

Версия для печати

Технические характеристики NTR1P02LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	225pF @ 5V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTR1P02LT1 (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?1.3 A, P?Channel SOT?23 Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTR1P02LT1 datasheet
124.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 0.1UF X7R 10% 50V
LM1117DT-ADJ	Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM1117DT-ADJ	Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)			109.28
LM1117DT-ADJ	Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NSC
LM1117DT-ADJ	Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	TEXAS INSTRUMENTS
LM1117DT-ADJ	Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
LM1117DT-ADJ	Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NS	10	157.50
LMC6484AIM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMC6484AIM		NSC
LMC6484AIM				297.12
LMC6484AIM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
MAX232ACSE	Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAXIM
MAX232ACSE	Трансивер RS-232 многоканальный +5V		4	120.25
MAX232ACSE	Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAXIM	3
MAX232ACSE	Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAX
MAX232ACSE	Трансивер RS-232 многоканальный +5V	YOUTAI	651	34.34
К142ЕН19АП				27.20
К142ЕН19АП		КРЕМНИЙ	266	34.91