SI7392DP-T1-E3
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
SI7392DP-T1-E3 (SILICONIX.) |
1 708 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI7392DP-T1-E3
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.75 mOhm @ 15A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Power - Max | 1.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.