IRFPS3810

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFPS3810		720.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFPS3810

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 100A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	390nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6790pF @ 25V
Power - Max	580W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-274AA
Корпус	SUPER-247 (TO-274AA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFPS3810 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFPS3810 datasheet
173.2 Кб