PMN50XP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMN50XP		72.80

Версия для печати

Технические характеристики PMN50XP

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1020pF @ 20V
Power - Max	2.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMN50XP (MOSFET)

P-channel TrenchMOS extremely low level FET

Производитель:
NXP

PMN50XP datasheet
149.8 Кб