BSH202
P-channel enhancement mode mos transistor
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 280mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 520mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 80pF @ 24V |
| Power - Max | 417mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BSH202 (MOSFET) P-channel enhancement mode MOS transistor
Производитель:
|
 | КЕ172 ИСП.3 БЕЛ. Выключатели применяются в подвижных и неподвижных стационарных установках, в том числе химостойких изделиях и кузнечно-прессовом оборудовании Коммутир... 1920.00 руб Купить |
 | С2-29-0.125-267 0.1% Резистор аксиальный постоянный тонкопленочный прецизионный, могут быть всеклиматического изолированного и неизолированного типаТехнические характерист... 17.00 руб Купить |
 | S908GZ48C 8-разрядный высокопроизводительный can микроконтроллер семейства m68hc08 Купить |
