PSMN085-150K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN085-150K (PHILIPS.)	551	3-4 недели Цена по запросу
PSMN085-150K (NXP.)	2 175	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN085-150K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1310pF @ 25V
Power - Max	3.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN085-150K (MOSFET)

N-канальный полевой транзистор

Производитель:
NXP

PSMN085-150K datasheet
265.7 Кб