STW7N95K3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STW7N95K3		331.40

Версия для печати

Технические характеристики STW7N95K3

Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35 Ohm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	950V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1031pF @ 100V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW7N95K3 (MOSFET)

N-channel 950 V, 1.1 ?, 7.2 A, TO-247 Zener-protected SuperMESH3™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW7N95K3 datasheet
939.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			1 140.00
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
150EBU04	Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	Vishay/Semiconductors
DSEI120-12A	FRED 1200V 109A 357W 40ns TO247AA	IXYS
DSEI120-12A	FRED 1200V 109A 357W 40ns TO247AA		1	1 113.84
DSEI120-12A	FRED 1200V 109A 357W 40ns TO247AA	1
MMSZ20T1G		ONS
MMSZ20T1G		ON Semiconductor
MMSZ20T1G		ON SEMICONDUCTOR	7 975
MMSZ20T1G
MMSZ24T1G		ONS
MMSZ24T1G		ON Semiconductor
MMSZ24T1G		ON SEMICONDUCTOR	369
MMSZ24T1G
MMSZ24T1G		ONSEMI	430	4.83
STTH810DI		ST MICROELECTRONICS
STTH810DI			4	302.40
STTH810DI		STMicroelectronics
STTH810DI		1