HUF75329G3

Версия для печати

Технические характеристики HUF75329G3

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 49A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	49A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	75nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1060pF @ 25V
Power - Max	128W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF75329G3 (MOSFET)

N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

HUF75329G3 datasheet
252.9 Кб