FQP6N80C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP6N80C		133.56

Версия для печати

Технические характеристики FQP6N80C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2.75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1310pF @ 25V
Power - Max	158W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220
Product Change Notification	Design/Process Change Notification 26/June/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP6N80C (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP6N80C datasheet
889.9 Кб