![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | QFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1310pF @ 25V |
Power - Max | 51W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
Корпус | TO-220F |
Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
FQPF6N80C (MOSFET) 800V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
![]() | Р СџР С™16-12Р Сљ5001 Предназначен для установки Р Р…Р В° Р Сонтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, Р’ постоянного тока 1-30 переРСенного тока 1-250 РўРѕРє, Р С’ постоянный... 2364.88 СЂСѓР± Купить |
![]() | 2Р РњР“24Р вЂР СџР Сњ19Р РЃ1Р•2ІГерРСетичные Р С‘ высокогерРСетичные соединители выполнены блочныРСР С‘ вилкаРСР С‘ для сочленения РЎРѓ кабельныРСР С‘ негерРСетичныРСР С‘ розеткаРСР С‘. Соединители состоят РёР· ... 1774.08 СЂСѓР± Купить |
![]() | BAS70 Диод шоттки Р Р† РєРѕСЂРїСѓСЃРµ для поверхностного Р Сонтажа Купить |
|
Корзина
|