PHP34NQ11T

Версия для печати

Технические характеристики PHP34NQ11T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	110V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 25V
Power - Max	136W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHP34NQ11T (MOSFET)

N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PHP34NQ11T datasheet
91.8 Кб