FQA65N20

Версия для печати

Технические характеристики FQA65N20

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 32.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	65A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7900pF @ 25V
Power - Max	310W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQA65N20 (MOSFET)

200V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQA65N20 datasheet
663.3 Кб