| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
62 968
|
1.84
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 628
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
700
|
4.14
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.61
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
17 776
|
5.59
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
310 800
|
1.03
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
1 504
|
1.03
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1.01
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
1 891 899
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
3.57
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
2 196
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
222 794
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
|
CBB60 30UF 450V (К78-17) |
|
|
|
|
440.00
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NXU
|
1
|
17.56
|
|
|
|
|
SCS-18 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NLT
|
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
|
2 284
|
27.75
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
34.91
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
|
16
|
74.00
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СССР ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СТАРТМОСКВА
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
ТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
СЗТП
|
4
|
150.36
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202Н |
|
Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
