Мощность рассеяния,Вт | 0.34 |
Минимальное напряжение стабилизации,В | 16 |
Номинальное напряжение стабилизации,В | 18 |
Максимальное напряжение стабилизации,В | 19 |
Статическое сопротивление Rст.,Ом | 25 |
при токе I ст,мА | 5 |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 1 |
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 45 |
Рабочая температура,С | -60...125 |
Способ монтажа | в отверстие |
Корпус | kd-3a |
Производитель | Россия |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
|
|
25.08
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
|
|
238.00
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
К78-2-250-2.2 10% |
|
Плёночный конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
|
1
|
80.00
|
|
|
|
К78-2-250-2.2 10% |
|
Плёночный конденсатор 2.2 мкФ 250 В
|
ПОЛИКОНД
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 614
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 520
|
26.86
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
2 774
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
16 816
|
46.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 520
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
1 104
|
60.91
|
|