IRL3715ZS
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3715ZS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
 | HUF76645P3 N-channel, logic level ultrafet power mosfet Купить |
 | PEN3-1212E2:1LF DC/DC преобразователь Р Сощностью 3Р’С‚, РІС…РѕРґ 9:18Р’, выход 12Р’/250Р СР С’, изоляция 1500Р’ DC, DIP24(31.8С…20.4Р Тђ10.2Р СР С), -40:+85°С Купить |
 | ADS7825 16-битный, 4-канальный РєРСРѕРї ацп Купить |
