![]() |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 52A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V |
Power - Max | 130W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL3705ZS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
![]() | SF28 Материал кремнийМаксимальное постоянное обратное напряжение, В 600Максимальное импульсное обратное напряжение, В 720Максимальный прямой(выпрямленный з... Купить |
![]() | МГШВ-0.2 БЕЛ. Провод предназначен для внутриприборного и межприборного монтажа, для фиксированого монтажа приборов и аппаратов, соединения электронной и электрическ... 9.60 руб Купить |
![]() | MBRF20100CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки Trench MOS диод Шотки Малое падение прямого напряжения Малая потеря мощности, высокая эффекти... Купить |
|
Корзина
|