Версия для печати
Технические характеристики TDA1013A

Количество каналов	1
Выходная мощность, Вт	4.5
Напряжение питания, В	35
Тип корпуса	SIL9
Напряжение на нагрузке, В	18
Сопротивление нагрузки, Ом	8
Вид напряжения питания	однополярное

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...			14.56
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	NXP
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	PHILIPS
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	PHILIPS
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	МАЛАЙЗИЯ
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	NXP	524
		BCP56-10		Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ...	JSCJ	65 059	5.37
		IRAMS10UP60B			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRAMS10UP60B					882.00
		IRAMS10UP60B			INFINEON
		KA3511			SAMSUNG
		KA3511			SEC
		KA3511				1	419.58
		KA3511			NO TRADEMARK
		KA3511			1
		LF357N			ST MICROELECTRONICS
		LF357N			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF357N					227.04
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	SAMSUNG	52	71.82
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	ON SEMICONDUCTOR
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16		3	98.28
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	MOTOROLA
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"