Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 11.2V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV23 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV23 |
|
|
PHILIPS
|
101 018
|
1.68
|
|
|
|
BAV23 |
|
|
|
|
14.00
|
|
|
|
BAV23 |
|
|
PHILIPS
|
788
|
|
|
|
|
BAV23 |
|
|
NXP
|
11 750
|
|
|
|
|
BAV23 |
|
|
|
|
14.00
|
|
|
|
BAV23 |
|
|
VISHAY
|
3 709
|
3.15
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 716
|
2.12
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
204
|
1.48
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 645
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
675 303
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
712 611
|
1.28
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
58 826
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
148 800
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
PHILIPS
|
1 500
|
2.10
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
|
|
3.20
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
NXP
|
32 741
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
PHILIPS
|
9 284
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BCX70J |
|
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)
|
NXP/NEXPERIA
|
530
|
3.55
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NXP
|
17 654
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
16 810
|
|
|
|
|
BZX84-C12 |
|
Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт
|
NEXPERIA
|
952
|
1.29
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 213
|
51.76
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
|
|
42.00
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ULQ2003A |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|