2SJ201

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SJ201		566.20

Версия для печати

Технические характеристики 2SJ201

Корпус	TO-3P(L)
Корпус (размер)	TO-3P(L) (2-21F1B)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	150W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SJ201 (Полевые МОП транзисторы)

P Channel Mos Type (high Power Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SJ201 datasheet
181.58Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10000МКФ 50 (30X35)
2SA1538	Транзистор PNP (120V, 0.2A, 10W, 400MHz)	SANYO
2SA1538	Транзистор PNP (120V, 0.2A, 10W, 400MHz)			40.00
2SA1538	Транзистор PNP (120V, 0.2A, 10W, 400MHz)	SAN
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	SANYO
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	SAN
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz			27.36
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	США
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	NEC
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	КИТАЙ
2SK1530	Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)	TOSHIBA
2SK1530	Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)	TOS
2SK1530	Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)			559.64
KBPC5010 50A 1000V (MB5010)	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм		1 844	104.63