IRF7220
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 14V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 125nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 8075pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7220 HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
 | SWR-45 B-R (13-KN1-1) 4pin 18х13мм, DPST, (on-off-on), крепление - защелка, 250V/5A 26.00 руб Купить |
 | HA13153A УНЧ 4x15W BTL (13.2V/4 Ом), max 4x25W, Gv=32dB Купить |
 | BLB101SYC-12V-P Светодиод 10мм с байонетным замком и встроенным резистором на 12в Встроенный резистор на 12В. Долговечен. Малое потребление. RoHS совместимый. ... Купить |
