IRF7506
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | Micro8™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7506 (P-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
 | ПК16-12С1010 Предназначен для установки на монтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, В постоянного тока 1-30 переменного тока 1-250 Ток, А постоянный... 3672.88 руб Купить |
 | LA4598 Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом) 158.76 руб Купить |
 | AD824ARZ-14 4х канальный Операционный усилитель полев. вход, вых. размах до шинs питанияПроизведение к-та усиления на ширину полосы пропускания  2 МГцСко... Купить |
