|
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 10A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
Power - Max | 79W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
Корпус | I-Pak |
IRLR3410 (N-канальные транзисторные модули) 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRLU3410
Производитель:
|
|