Структура транзистора: MOSFET |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1604pF @ 15V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
FDS4435BZ Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4410 | FAIR | |||||||
FDS4410 | FSC | |||||||
FDS4410 | FAIRCHILD | |||||||
FDS4410 | 116.00 | |||||||
FDS4410 | FAIRCHILD | |||||||
FDS4410 | Fairchild Semiconductor | |||||||
FDS4410 | FSC1 | |||||||
FDS4410 | A&O | |||||||
FDS4410 | ONS | |||||||
MCP2510-I/SO | Контроллер SPI - интерфейс, 3В ... 5.5В | MICRO CHIP | 220 | 340.44 | ||||
MCP2510-I/SO | Контроллер SPI - интерфейс, 3В ... 5.5В | 334.08 | ||||||
MCP2510-I/SO | Контроллер SPI - интерфейс, 3В ... 5.5В | MICRO CHIP | 9 | |||||
MCP2510-I/SO | Контроллер SPI - интерфейс, 3В ... 5.5В | Microchip Technology | ||||||
MCP2551-I/SN | MICRO CHIP | 1 913 | 177.12 | |||||
MCP2551-I/SN | 223.20 | |||||||
MCP2551-I/SN | Microchip Technology | |||||||
MCP2551-I/SN | ТАИЛАНД | |||||||
MCP2551-I/SN | MICRO CHIP | 1 | ||||||
SN65LVDS1DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 152 | 167.28 | |||||
SN65LVDS1DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 110 | ||||||
SN65LVDS1DBVR | TEXAS | |||||||
SN65LVDS1DBVR | ||||||||
SN65LVDS1DBVTG4 | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
SN65LVDS1DBVTG4 | TEXAS |
|