MJD44H11G
Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт
|
Транзистор биполярный NPN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75W |
| Frequency - Transition | 85MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | DPAK-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJD44H11 (Мощные биполярные транзисторы) SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS Также в этом файле: MJD44H11G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
74HC00D.653 |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ | NXP |
|
|
|
|
|
|
74HC00D.653 |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ | NEX-NXP |
|
|
|
|
|
|
74HC00D.653 |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 4 ЛЭ 2И-НЕ |
|
|
||
| IDC-20MS |
|
|
||||||
| IDC-20MS | XINYA |
|
|
|||||
| IDC-20MS | CHINA | 8 | 7.41 | |||||
| MAX3051ESA+ | MAXIM |
|
|
|||||
| MAX3051ESA+ | MAX | 80 | 100.80 | |||||
| MAX3051ESA+ | Maxim Integrated Products |
|
|
|||||
| MAX3051ESA+ | MAXIM |
|
|
|||||
| MAX3051ESA+ |
|
|
||||||
| MAX3051ESA+ | MAX1 |
|
|
|||||
| MAX3051ESA+ | MAX/DALL |
|
|
|||||
| WAGO257-100 |
|
9.24 |
