CSD16407Q5

Версия для печати

Технические характеристики CSD16407Q5

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2660pF @ 12.5V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SON
Корпус	8-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD16407Q5 (MOSFET)

N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™

Производитель:
Texas Instruments

CSD16407Q5 datasheet
260.8 Кб