DMN66D0LW


N-channel enhancement mode field effect transistor

Купить DMN66D0LW ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DMN66D0LW
Версия для печати

Технические характеристики DMN66D0LW

ПолярностьN
Каналов,шт1
VDSS,В60
RDS(ON) 10 В,мОм3000
ID,А0.115
PWT,Вт0.2
КорпусSOT-323
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN66D0LW (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN66D0LW datasheet
151.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход