FDMA2002NZ
Dual n-channel powertrench mosfet
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
FDMA2002NZ (FAIRCHILD.) |
257 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики FDMA2002NZ
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Power - Max | 650mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-MLP, 6-MicroFET™ |
| Корпус | 6-MicroFET (2x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
FDMA2002NZ (MOSFET)
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
