IPI110N20N3-G
Optimos™-3 power-transistor
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 200 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 9.9 |
| ID,А | 88 |
| PWT,Вт | 300 |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPI110N20N3-G (MOSFET) OptiMOS™-3 Power-Transistor
Производитель:
|
