IRF1312S
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 80 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 10 |
| ID,А | 95 |
| PWT,Вт | 210 |
| Корпус | D2-PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF1312S (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
