IRF630SPBF
Hexfet® power mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Power - Max | 3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263 (D2Pak) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF630SPBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
 | CN0805K25G 25В Купить |
 | 0603-X5R-4.7UF 10% 10V Керамический конденсатор чип поверхностный монтажНоминальная емкость 10 мкФНоминальное напряжение 10 ВТочность 10%Материал X5RКорпус 06*03... 7.60 руб Купить |
 | BYS10-25 Ограничительный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа Низкопрофильный корпус для поверхностного монтажа Защита от перенапряжения Малая по... Купить |
